产品介绍
本产品专为深紫外（DUV）光刻工艺设计，采用高透过率、低热膨胀的特殊基材。通过高精度纳米加工工艺，实现了极低的线宽粗糙度与严格的CD均匀性。具备优异的耐激光辐照性能，能有效降低Mura效应，确保在193nm波长下实现高保真图形转移，是高端半导体光刻量产的核心组件。
应用场景
适用于半导体前道制程中的DUV光刻环节，主要用于Logic、Memory芯片的量产，以及MEMS、功率器件的图形化工艺。
产品参数
| 基底材质 | /
| 工作波长 | /
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| 膜 系 |
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| 入射角度 | /
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测试曲线
苏公网安备:12345号
